“新型高密度存储材料与器件”项目启动

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中国证券报10月20日从中国科学院获悉，10月17日，战略先进电子材料、新型高密度存储材料和器件重点专项国家重点研发计划启动会在中国科学院微电子研究所举行。

会上，微电子研究所所长叶、中国科学院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶对内存领域的现状和发展进行了总结和展望，表示要围绕关键技术集中力量攻关，实现关键技术的不断突破。项目负责人、微电子研究所研究员刘淇汇报了项目的总体情况和实施方案。与会专家对项目布局给予了积极评价，对项目的具体实施提出了宝贵意见。叶代表微电子研究所向项目顾问递交了聘书。

新的高密度存储材料和设备满足了大数据时代海量数据(603138)存储和处理的需求。研究相变、电阻开关、铁电等新型存储材料和器件的设计和制备关键技术，开发高密度存储阵列的选通器件和三维集成技术，开发具有信息存储、逻辑、运算、编码和解码等多功能的新型原型器件，以及柔性电阻开关存储原型器件，将为中国开发出具有自主知识产权的新型高性能器件。